中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心（简称微太中心）成立于2014年，其前身是成立于2011年的中物院太赫兹研究中心，是首批院级战略研究中心，当前挂靠中物院电子工程研究所。微太中心主要从事集成微系统与太赫兹科学技术研究，主体位于成都“银河596科技园”，是面向国内外开放的基础研究、关键技术研究和应用研究平台。

微太中心拥有由院士、国务院政府特殊津贴专家等组成的专家队伍和以博士为主体的青年科研队伍，现有固定研究人员130余人（具有博士学位人员近70名，海外归国人员近20名），流动人员（访问学者、博士后、研究生等）近20人。到2020年固定研究人员预计达到300人左右。

微太中心以国家重大需求中的基础科学问题与关键技术为发展导向，承担了多个国家级重大研究项目，逐步形成了独具特色的“一个战略科技方向、一个综合研究平台、四项特色微系统技术、多个产业化应用”基本格局。一个战略科技方向是指“强约束集成微系统与太赫兹科学技术”；一个综合研究平台是指正在建设的“强微一号” 强约束集成微系统国家级综合研究平台；四项特色微系统技术是指耐环境效应微系统、高压微系统、量子光电微系统、太赫兹微系统技术。基于上述格局，中心致力于解决“构造微观和宏观相互强约束的集成微系统可控定制架构”这一挑战性世界难题，逐渐具备从原子到产品的物理模型、数值模拟、微纳工艺、精密测试的综合研究能力。同时面向国家产业发展需求，微太中心研发了太赫兹通信系统、太赫兹雷达与成像系统、太赫兹安检系统等，并正在进行应用推广。

“强微一号”综合研究平台

微太中心正在建设的“强微一号”强约束集成微系统综合研究平台是以强约束集成微系统物理模型为核心，包含“四位一体”的跨尺度数值模拟平台、先进微纳工艺平台、微系统微介观精密测试平台和专业测试平台。其中微纳工艺平台洁净实验室面积达3400平米，包括6英寸化合物半导体工艺平台、6英寸MEMS/NEMS工艺平台和三维异构集成工艺平台等。

微纳工艺平台(一期)

SoC与MEMS/NEMS实验室

SoC实验室主要研究在严苛环境下耐环境效应的高可靠性嵌入式SoC系统。主要研究工作包括SoC定制晶体管、高可靠性定制单元库、定制数字/模拟IP核、高可靠信号处理与控制SoC架构、电源管理芯片、微弱信号检测芯片、嵌入式软件开发等。

MEMS/NEMS实验室主要开展新型微纳执行器和传感器研究。包括高动态多轴微振动台与MEMS惯性传感器（加速度计、陀螺仪、IMU）原位自标定技术、自锁双稳态开关技术、以及应用于小型机器人的压电马达技术研究。

固态高压微系统实验室

固态高压微系统实验室主要开展基于宽禁带半导体材料的固态高压微系统技术研究，通过先进互连方式将控制器/驱动IC、有源器件以及无源器件实现集成，能够在低压电源激励下产生数kA的脉冲电流输出，是建立在微电子与功率电子学基础上，结合材料科学、微纳技术的交叉学科研究。具有碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体高压器件设计、微纳加工工艺开发、器件封装与系统集成能力。

量子与光电微系统实验室

量子与光电微系统实验室主要开展量子认证、量子信息与量子传感、半导体量子结构与芯片、光电集成微系统以及激光模拟辐射效应等方面的前沿基础研究。实验室目前已经具备或正在建设如下研究能力：量子认证实验平台；半导体单光子源及纳米结构表征测试；紫外单光子探测器测试；大功率半导体LD测试系统；激光模拟辐射效应研究平台。实验室还正在规划建设冷原子传感实验平台，开展原子芯片的设计、测试、芯片上原子束缚及导引等，提供冷原子干涉相关的研究能力。

太赫兹微系统实验室

太赫兹微系统实验室从基于化合物半导体的二极管、晶体管等核心器件出发，研究太赫兹波直接产生、放大、变频与调控技术，突破太赫兹器件的功率与效率瓶颈；研究太赫兹集成电路芯片、太赫兹异构集成技术，提供太赫兹集成微系统解决方案。

太赫兹通信、雷达与安检技术实验室

太赫兹通信、雷达与安检技术实验室主要开展用于太赫兹通信、雷达与安检的核心模块、单元组件，以及样机的研制，并具有完整的设计、测试专业队伍和设备能力。